Simone发光二极管及其制作方法
的有关信息介绍如下：
《发光二极管及其制作方法》是厦门市三安光电科技有限公司于2012年4月23日申请的发明专利，该专利申请号为2012101194109，公布号为CN102629652A，专利公布日2012年8月8日，发明人是黄少华、吴志强。
该发明公开了一种具有n型渐变缓冲层的发光二极管及其制作方法。其中，一种发光二极管的外延结构，包括：生长衬底；n型渐变缓冲层，位于所述生长衬底之上；n型限制层，位于所述n型渐变缓冲层之上；有源层，位于所述n型限制层上；p型限制层，位于所述有源层上。该发明利用离子植入法将缓冲层转化为n型渐变缓冲层，在保证获得高质量的外延结构的同时，其应用于垂直结构的发光二极管芯片，能够有效降低接触阻抗。
2017年12月，《发光二极管及其制作方法》获得第十九届中国专利优秀奖。
（概述图为《发光二极管及其制作方法》的摘要附图）
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